我國在UWB領域也投入了一定的研究，先后得到了國家863、國家自然科學基金等項目的支持。然而國內的研究多集中在系統驗證、電磁兼容分析等方面，針對UWB芯片尤其是射頻芯片的研究尚屬空白。中國科學院微電子研究所作為中國無線個域網標準組(C—WPAN)的成員單位，為中國UWB標準的制定提供了頻譜規劃和物理信道劃分方面的建議，并及時掌握了目前我國UWB頻譜的規劃現狀。目前，信息與工業化部已經在其網站上對我國UWB的預開放頻段進行公示，公示頻段包含了低頻段的4.2—4.8GHz，和高頻段的6—9GHz，UWB在中國的頻譜開放和市場開發已經為期不遠。
在中國科學院青年創新基金和微電子所所長基金的支持下，中國科學院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）針對中國UWB將開放的高頻段6—9GHz開展了射頻集成電路設計研究，采用0.18um RFCMOS工藝一次流片即測試成功了以下幾款關鍵核心電路：1、3.9—4.9GHz鎖相環式頻率綜合器芯片：該頻率綜合器中的VCO振蕩頻率可以覆蓋3.9—4.9GHz，可以在該范圍內實現頻率的精確鎖定，相位噪聲小于—95dBc/Hz@1MHz offset，參考雜散小于—40dBc；2、6.5—7.2GHz 壓控振蕩器芯片：該VCO的頻率調諧范圍達到700MHz，相位噪聲小于—90dBc/Hz@1MHz offset；3、6—9GHz低噪聲放大器芯片：該LNA在6—9GHz的范圍內增益大于18dB，S11、S22均小于—10dB；4、6—9GHz下變頻器芯片：該電路可以將6—9GHz的超寬帶射頻信號下變頻至模擬基帶信號，變頻增益大于5dB。
目前基于CMOS工藝的射頻集成電路產品多集中在4GHz以下頻段，主要包括了2G、3G的移動通信、GPS等系統，而C—X波段的基于CMOS工藝的射頻芯片尚處于研究開發階段，本次流片成功的6—9GHz核心射頻芯片不僅為中國科學院微電子研究所在UWB領域搶占國內市場搶占了先機，而且為基于CMOS工藝的C—X波段射頻集成電路開發進行了有效的探索性研究。